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ITO（氧化铟锡）靶材

作用：
氧化锡是ITO靶材的关键成分之一（通常占10%），它与氧化铟（In₂O₃）烧结成靶材，用于溅射透明导电薄膜层。
纯度和粒度：
纯度：通常要求4N（99.99%）以上，高端应用则需要5N（99.999%）。
粒度：纳米级（20-100nm），以确保溅射形成的薄膜具有均匀的导电率和透光率。
电子陶瓷

作用：
氧化锡作为添加料用于电子陶瓷，主要用于制造多层陶瓷电容器（MLCC）、压敏电阻和热敏电阻，以及微波介电陶瓷。
纯度和粒度：
纯度：范围从3N（99.9%）到4N（99.99%）。
粒度：可以是微米级（1-10μm）或纳米级（20-100nm）。
氧化锡电极

作用：
氧化锡是制造氧化锡电极的主要材料，用于高档光学玻璃的熔炼，如火石类玻璃、钡火石、钡冕及重冕玻璃等，且不会污染玻璃。
纯度和粒度：
纯度：要求至少4N（99.99%），以确保良好的电化学性能。
粒度：纳米级（50-200nm），以提高电极的反应活性。
TFT-LCD玻璃基板

作用：
氧化锡是制造高透光率液晶玻璃和OLED玻璃的重要辅料，有助于减少玻璃中的气泡，从而提高玻璃的强度和透光率。
纯度和粒度：
纯度：通常为3N（99.9%）。
粒度：微米级（1-100μm）。

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公司邮箱 nanoaito@163.com

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